노광공정

 

EUV와 ArF란?

웨이퍼에 전자 회로를 새기는 반도체 노광 공정에서 사용하는 빛의 파장 이름이다.
EUV보다는 ArF가 보편적이며, EUV는 ArF보다 개선된 방식이다.

EUV란?

ArF보다 개선된 방식이다.
파장의 길이가 더 짧아 13.5nm 수준이다.
7nM이하 시스템반도체 생산라인에서 처음 활용을 시작하였다.

현재 시장현황

메모리 반도체도 집적도가 향상되고 있다.
낸드플래시와 달리 D램은 적층이 어렵다.
즉 회로 선폭을 줄여 성능과 효율을 높여야 한다.

 

회로의 물리적 거리가 가까워지면 뭐가 좋아지나?

1) 신호처리 속도 향상
2) 동작전압 및 대기전압 감소
3) 웨이퍼당 D램 생산량 증가

 

EUV장비 도입은?

도입 및 활성화는 시간문제이다.
하지만 좋은 기술이더라도 대중화에 성공하는 것은 아니다.
왜냐하면 EUV는 네덜란드 ASML만 제조하므로 생산대수가 상당히 제한적인데다가 고가(1500억원 이상)이다.
장비를 교체하면 새산라인 재구성과 안정화가 필수적이며 이는 곧 수율(반도체 제조사 수익성)과 직격되는 문제가 있다.

 

EUV도입한 한국 기업

삼성전자와 SK하이닉스는 EUV를 도입했다. 10나노급 4세대(1a) D램부터 EUV공정을 활용하기로 했다. 회로 선폭은 13nm내외다. 모든 회로를 EUV로그리는 것은 아니다. 일부 레이어만 담당하며 연내 양산할 예정이다.
아직까지는 선제적으로 EUV를 도입한 효과가 나타나기 어렵다. EUV의 진정한 효과는 5세대, 6세대 등으로 넘어가면서 차이가 발생할지 눈여겨 보아야 한다.